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  真空鍍膜加工術(shù)語和工藝總結(jié)

  真空鍍膜廠家：

  2.1.8激光束蒸發(fā)laserbeamevaporation：通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

  2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

  2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。

  2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團(tuán)的過程。

  2.2.1反應(yīng)性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。

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  2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

  2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

  2.2.4非對稱流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個電極間的非對稱流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

  2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。

  2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

  2.2.7熱陰頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電產(chǎn)生的離子，在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

  2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

  2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過程。

  2.3物相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

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