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  真空鍍膜廠家來說說鍍膜均勻性的調(diào)整方法

  真空鍍膜廠家總結(jié)如下：

  首先我想說如果你想解決色差的問題，最好有一個測膜厚的儀器(光學(xué)膜厚或者物理膜厚);

  其次還得有一個掃描光譜反射的儀器，至少是可見光范圍的檢測儀器;

  第三才到工藝的分析，可以根據(jù)以上所測的數(shù)據(jù)做一個分析，確定是膜厚不均勻引起的，還是由于材料折射率不均勻引起的，當然大部分是因為膜厚的因素。

  第四，確保磁場的均勻性，如果是我們GENCOA的陰極，我們可以保證直線跑道上磁場均勻性達到1%。還有有效寬度與靶材長度的關(guān)系，一般是有效長度=靶材長度-3x靶材寬度。

  第五，檔板的開口調(diào)節(jié)，檔板盡量靠近基架，這樣子等離子體在濺射過程中更加穩(wěn)定。

  第六，(推薦手段)分段布氣調(diào)節(jié)，這樣在不破空的情況下可以調(diào)節(jié)均勻性。一般1200mm~1800mm的靶建議3段布氣，布氣長度是1:3:1，再長的可以5段或7段布氣。

  第七，如果是反應(yīng)濺射盡量是布氣管離濺射區(qū)越近越好，縮短控制的響應(yīng)時間。建議做過渡態(tài)濺射，推薦選擇使用Speedflo控制。

  第八，考慮溫度的影響，可以測一下基片的上中下的溫度是否均勻。

  第九，考慮抽氣的均勻性，分子泵離陰極太近或太遠都不是什么好事。

  第十，考慮功率密度，如果功率密度太低了，其實靶表面的電位也會不穩(wěn)定的，但不同材料功率密度要求也是不一樣的。比如ITO一般是2W/cm2以上，Si一般是5W/cm2以上……

  除此之外還需要考慮靶材表面的清潔度，所以靶面的非濺射區(qū)越小越好，對應(yīng)的靶材利用率越高越好，但不能是移動磁場。還有靶基距因素;還有真空度因素;還有電源的穩(wěn)定性，是否有打弧的現(xiàn)象等等。

  但一般來說，通過分段布氣都能調(diào)整好的。我本人不建議使用調(diào)磁場和活動檔板的方法，調(diào)磁場很容易造成打弧和以后的均勻性調(diào)整，活動檔板漏氣的幾率會加大，一條鍍膜線十幾個靶位，如果有一個漏氣了，那就白搞了，尤其是加熱的系統(tǒng)。

  所以分段布氣和過渡態(tài)控制濺射是一個不錯的選擇。(如果想了解更多歡迎關(guān)注GENCOA公眾號，里面有我本人的聯(lián)系方式，謝謝!)

  以上希望對大家有所用，最后祝大家做好工藝，我一直相信只要工藝技術(shù)好，比別人的更好，市場還是大大的有，工藝技術(shù)決定出路。

  關(guān)于更多的真空鍍膜資訊請關(guān)注：http://www.tzqxms.com/