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hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 用于氮化硅刻蝕工藝研究

	價格：11 元(人民幣)	產地：日本
	最少起訂量：1臺	發(fā)貨地：本地至全國
	上架時間：2020-12-22 16:03:11	瀏覽量：112
	伯東企業(yè)(上海)有限公司
	經營模式：代理商	公司類型：外商獨資
	所屬行業(yè)：真空泵	主要客戶：
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:羅 (先生)	手機:15201951076
電話:	傳真:
郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn	地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室 201206

詳細介紹

重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE.

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:

真空腔	1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源	? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
極限真空	≦1x10-4 Pa
刻蝕性能	一致性: ≤±5% across 4”

該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數：

離子源型號	離子源 KDC 75
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>250 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	7.5 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	20.1 cm
直徑	14 cm
中和器	燈絲

針對氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調整氣體流量比, 腔內壓強及功率, 研究其對氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數的影響.

若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE.

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