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華中某實驗室采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE制作面陣石英 DNA芯片模板.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:

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Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術參數：

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 制作的芯片模板較其他手段制作的同類器件而言, 其表面微結構形貌上的特點更有利于DNA序列樣本與芯片模板的吸附耦合.

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