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蘇州銀邦主營:

西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊，整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅動電路、驅動板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管， 晶閘管/二極管、整流橋、驅動IC及驅動板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場效應管、IPM、 驅動電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅動電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅動器
德國(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社（SanRex）可控硅模塊 二極管 快恢復二極管
巴斯曼（BUSSMANN）熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器

IGBT工作原理
  方法：
  IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS（on）特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。
  導通：
  IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分）。如等效電路圖所示（圖），其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件�；膽迷诠荏w的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。 當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內，并調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，并啟動了第二個電荷流。的結果是，在半導體層次內臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓撲：一個電子流（MOSFET 電流）； 一個空穴電流（雙極）。