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 IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

蘇州銀邦主營:
西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊，整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅(qū)動電路、驅(qū)動板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管， 晶閘管/二極管、整流橋、驅(qū)動IC及驅(qū)動板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場效應(yīng)管、IPM、 驅(qū)動電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅(qū)動電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅(qū)動器
德國(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復(fù)二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社（SanRex）可控硅模塊 二極管 快恢復(fù)二極管
巴斯曼（BUSSMANN）熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器