| Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 用于半導(dǎo)體晶圓刻蝕 |
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價(jià)格：11 元(人民幣) | 產(chǎn)地：美國(guó) |
| 最少起訂量：1臺(tái) | 發(fā)貨地：本地至全國(guó) | |
| 上架時(shí)間：2020-11-20 15:43:26 | 瀏覽量：121 | |
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：代理商 | 公司類型：外商獨(dú)資 | |
| 所屬行業(yè)：真空泵 | 主要客戶： | |
 在線咨詢  |
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| 聯(lián)系人:羅 (先生) | 手機(jī):15201951076 |
電話: |
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| 郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn | 地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206 |
某半導(dǎo)體公司為了去除晶圓反應(yīng)表面產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物, 進(jìn)而提高反應(yīng)效率, 同時(shí)提高晶圓的均勻度, 采用 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 用于半導(dǎo)體晶圓刻蝕.
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺(tái).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
運(yùn)用結(jié)果： 1. 有效去除晶圓反應(yīng)表面產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物, 進(jìn)而提高反應(yīng)效率 2. 晶圓的均勻度得到良好提高 3. 晶圓的加工質(zhì)量得到明顯提高
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