伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 用于鍍制 TiN 薄膜 |
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價(jià)格:11 元(人民幣) | 產(chǎn)地:美國(guó) |
最少起訂量:1臺(tái) | 發(fā)貨地:本地至全國(guó) | |
上架時(shí)間:2020-11-17 14:23:53 | 瀏覽量:140 | |
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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經(jīng)營(yíng)模式:代理商 | 公司類型:外商獨(dú)資 | |
所屬行業(yè):真空泵 | 主要客戶: | |
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聯(lián)系人:羅 (先生) | 手機(jī):15201951076 |
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郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn | 地址:上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206 |
傳統(tǒng)磁控濺射制備工藝存在一個(gè)突出的問題, 當(dāng)離子能量較低時(shí),在濺射沉積過程中會(huì)發(fā)生 “遮蔽效應(yīng)”, 會(huì)使薄膜結(jié)構(gòu)疏松, 產(chǎn)生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.
為提高制備薄膜的致密度, 減少結(jié)構(gòu)缺陷, 提高耐蝕性能, 國(guó)內(nèi)某光學(xué)薄膜制造商采用伯東 KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP 140 用于磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):
客戶采用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術(shù)在 304 不銹鋼和 P 型(100)晶向硅片上制備TiN納米薄膜.
推薦理由: 聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
運(yùn)行結(jié)果: 1. 通過KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP 140 濺射作用將優(yōu)先形成的遮蔽效應(yīng), 制備的薄膜具有較高致密度. 2. 減少結(jié)構(gòu)缺陷 3. 提高耐蝕性能
伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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