| 施耐德BMXP342020 處理器誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
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價(jià)格：2000 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
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漳州耀越貿(mào)易有限公司
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施耐德BMXP342020 處理器誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
技術(shù)方面，三菱電機(jī)擁有多種尖端技術(shù)，如在外延、工藝等方面的高質(zhì)量化合物半導(dǎo)體技術(shù)、利用自主研發(fā)溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET所實(shí)現(xiàn)的低功耗芯片技術(shù)、業(yè)界頂尖的小型化與輕量化模塊技術(shù)等。三菱電機(jī)功率器件制作所技術(shù)顧問Gourab Majumdar 博士也在發(fā)布會(huì)上就三菱電機(jī)的技術(shù)進(jìn)展做了充分的補(bǔ)充，包括硅基和碳化硅基兩個(gè)方面。
以硅基芯片為例，三菱電機(jī)研發(fā)的硅基IGBT芯片從第3代IGBT到現(xiàn)在第7代IGBT，面積越來(lái)越小，每一代IGBT的損耗也在不斷降低。當(dāng)前，三菱電機(jī)已經(jīng)推出采用更精細(xì)結(jié)構(gòu)概念、更新工藝技術(shù)的新型RC-IGBT芯片。據(jù)悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統(tǒng)的RC-IGBT降低了50%左右。
為了進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，整合優(yōu)勢(shì)技術(shù)資源，2023年7月，三菱電機(jī)宣布，已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化并加速放量的階段，三菱電機(jī)為搶占技術(shù)先機(jī)按下了“快捷鍵”。
施耐德BMXP342020 處理器誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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