2090-CPWM7DF-08AF15 伺服電機(jī) |
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可編程邏輯控制器系統(tǒng)的通信接口應(yīng)包括串行和并行通信接口、RIO通信口、常用DCS接口等;大中型可編程邏輯控制器通信總線(含接口設(shè)備和電纜)應(yīng)1:1冗余配置,通信總線應(yīng)符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),通信距離應(yīng)滿足裝置實(shí)際要求。
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安森美的1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1),提供高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓(BV)的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管(NDSH25170A、NDSH10170A)讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫高壓下穩(wěn)定運(yùn)行、同時(shí)由SiC賦能高能效的設(shè)計(jì)。 安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說(shuō):“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗,加強(qiáng)了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也進(jìn)一步擴(kuò)大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力,安森美提供的技術(shù)和供貨保證可以滿足工業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)提供商的需求! 可再生能源應(yīng)用正不斷向更高的電壓發(fā)展,其中太陽(yáng)能系統(tǒng)正從1100 V向1500 V直流母線發(fā)展。為了支持這變革,客戶需要具有更高擊穿電壓(BV)值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V,適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,提供更高的系統(tǒng)可靠性。 在1200 V、40 A的測(cè)試條件下,1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷(Qg)達(dá)到領(lǐng)先市場(chǎng)的200 nC,而同類競(jìng)爭(zhēng)器件的Qg近300 nC。低Qg對(duì)于在快速開(kāi)關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高能效至關(guān)重要。
優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品★優(yōu)質(zhì)的價(jià)格★優(yōu)質(zhì)的售后★優(yōu)質(zhì)的服務(wù) |
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