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蘇州銀邦電子技有限公司：

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單相可控硅怎么用萬用表測(cè)量好壞？

1、可控硅的管腳判別

可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。晶閘管管腳的判別可用下述方法：

1.先用萬用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。

2.再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。

2、可控硅的檢測(cè)

用萬用表判斷可控硅的好壞可用下述方法：

1.萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。

2.將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該可控硅已擊穿損壞。

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

萬用表檢測(cè)雙向可控硅方法

方法一：測(cè)量極間電阻法

將萬用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時(shí)，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：

1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；

2、如果測(cè)得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時(shí)，說明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞，也不能使用。

方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A

萬用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分(其中一個(gè)單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說明雙向可控硅整個(gè)都是好的，即在兩個(gè)方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。

方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B

取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R×10k檔(V電壓)，對(duì)電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào)，然后再將萬用表置于R×10檔，照?qǐng)D2(b)連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí)，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。

應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號(hào)增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。

以上就是關(guān)于可控硅怎么測(cè)量好壞的解答，有人反應(yīng)，直流驅(qū)動(dòng)器的冷卻風(fēng)扇如果不能正常散熱，將會(huì)縮短可控硅使用壽命。