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IGBT西門康SKM800GAL176D三相可控硅
IGBT西門康SKM800GAL176D三相可控硅 價(jià)格:460  元(人民幣) 產(chǎn)地:德國(guó)
最少起訂量:1個(gè) 發(fā)貨地:江蘇蘇州市
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上海萱鴻電子科技有限公司  
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上海萱鴻電子科技有限公司:

代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件,IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù),在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象,同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系,也是眾多電子廠商(富士、三菱、英飛凌、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的誠(chéng)信代理商和分銷商。通過多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),公司積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí),為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案,為客戶提供技術(shù)支持! 代理品牌:

1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品;

2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;

3、CONCEPT、IDC驅(qū)動(dòng)片及驅(qū)動(dòng)板;

4、巴斯曼(BUSSMANN),西門子,日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等;

愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品、滿意的服務(wù)。

品種齊全、價(jià)格優(yōu)惠、歡迎咨詢!

 

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)注意事項(xiàng)

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
  工業(yè)環(huán)境中的短路
  工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作環(huán)境相對(duì)惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯(cuò)誤以及其它突發(fā)情況。其中有些事件可能會(huì)導(dǎo)致較大的過流流入電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。
其中:
  1是逆變器直通。這可能是由于不正確開啟其中一條逆變器橋臂的兩個(gè)IGBT所導(dǎo)致的,而這種情況又可能是因?yàn)樵馐芰穗姶鸥蓴_或控制器故障。它也可能是因?yàn)楸凵系钠渲幸粋(gè)IGBT磨損/故障導(dǎo)致的,而正常的IGBT保持開關(guān)動(dòng)作。
  2是相對(duì)相短路。這可能是因?yàn)樾阅芟陆怠囟冗^高或過壓事件導(dǎo)致電機(jī)繞組之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。
  3是相線對(duì)地短路。這同樣可能是因?yàn)樾阅芟陆怠囟冗^高或過壓事件導(dǎo)致電機(jī)繞組和電機(jī)外殼之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。一般而言,電機(jī)可在相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)(毫秒到秒,具體取決于電機(jī)尺寸和類型)吸收極高的電流;然而,IGBT——工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器級(jí)的主要部分——短路耐受時(shí)間為微秒級(jí)。
  IGBT短路耐受能力
  IGBT短路耐受時(shí)間與其跨導(dǎo)或增益以及IGBT芯片熱容量有關(guān)。更高的增益導(dǎo)致IGBT內(nèi)的短路電流更高,因此顯然增益較低的IGBT具有較低的短路電平。然而,較高增益同樣會(huì)導(dǎo)致較低的通態(tài)導(dǎo)通損耗,因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平,但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外,技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小, 縮小了模塊尺寸,但降低了熱容量,以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。
  另外,還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系,因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過去,這一時(shí)間范圍是10 μs,但近年來(lái)的趨勢(shì)是在往5 μs3以及某些條件下低至1 μs方向發(fā)展。
  此外,不同器件的短路耐受時(shí)間也有較大的不同,因此對(duì)于IGBT保護(hù)電路而言,通常建議內(nèi)建多于額定短路耐受時(shí)間的額外裕量。
  IGBT過流保護(hù)
  無(wú)論出于財(cái)產(chǎn)損失還是安全方面的考量,針對(duì)過流條件的IGBT保護(hù)都是系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵所在。IGBT并非是一種故障安全元件,它們?nèi)舫霈F(xiàn)故障則可能導(dǎo)致直流總線電容爆炸,并使整個(gè)驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)故障。 過流保護(hù)一般通過電流測(cè)量或去飽和檢測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖2顯示了這些技巧。
  對(duì)于電流測(cè)量而言,逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測(cè)量器件,以便應(yīng)付直通故障和電機(jī)繞組故障?刂破骱/或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必須及時(shí)關(guān)斷IGBT,防止超出短路耐受時(shí)間。這種方法的好處是它要求在每個(gè)逆變器臂上各配備兩個(gè)測(cè)量器件,并配備一切相關(guān)的信號(hào)調(diào)理和隔離電路。只需在正直流總線線路和負(fù)直流總線線路上添加分流電阻即可緩解這種情況。然而,在很多情況下,驅(qū)動(dòng)架構(gòu)中要么存在臂分流電阻,要么存在相位分流電阻,以便為電流控制環(huán)路服務(wù),并提供電機(jī)過流保護(hù);它們同樣可能用于IGBT過流保護(hù)——前提是信號(hào)調(diào)理的響應(yīng)時(shí)間足夠快,可以在要求的短路耐受時(shí)間內(nèi)保護(hù)IGBT。

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