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高鉻合金錘頭-ZG4Cr9Si2石棉輥

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ZG4Cr9Si2作為將抗蝕劑膜用作遮擋膜而選擇性地注入雜質(zhì)的，提出了通過在使用了旋涂法的抗蝕劑涂覆時和去除干燥后的抗蝕劑膜的端部時控制半導(dǎo)體晶片的轉(zhuǎn)數(shù)，從而形成能夠用作氦照射時的遮擋膜的0μm以上的厚度的抗蝕劑膜的(例如，參照下述文獻。[0588]平焊法蘭)對于具有塊矢量(xbv，ybv)的ibccu，如果任何位置(x，y)(其中，x＝(xcu+xbv)％(wbuf),,(xcu+xbv+cu_width)％(wbuf)并且y＝(ycu+ybv)％s,…,(ycu+ybv+cu_height)％s)被標(biāo)記為不可用，則塊矢量被認(rèn)為是無效的。

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