| IGBT靜態(tài)參數(shù)綜合特性測(cè)試儀 |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：廣東深圳市 |
| 最少起訂量：1臺(tái) | 發(fā)貨地：廣東深圳市 | |
| 上架時(shí)間：2020-09-21 11:19:02 | 瀏覽量：315 | |
深圳市華科智源科技有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營(yíng)獨(dú)資企業(yè) | |
| 所屬行業(yè)：儀器儀表加工設(shè)備 | 主要客戶：華為，中興 | |
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HUSTEC華科智源
IGBT靜態(tài)參數(shù)綜合特性測(cè)試儀資料介紹
HUSTEC-1600A-MT
IGBT綜合特性測(cè)試儀
一：主要特點(diǎn) A：IGBT單管及模塊， B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet） C：大功率二極管 D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)
三、華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征： A：測(cè)量多種IGBT、MOS管 B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護(hù)被測(cè)量器件 H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；
序號(hào)
測(cè)試項(xiàng)目
描述
測(cè)量范圍
分辨率
精度
1
VF
二極管正向?qū)▔航?span>
0~20V
1mV
±1%,±1mV
2
IF
二極管正向?qū)娏?span>
0~1200A
≤200A時(shí),0.1A
≤200A時(shí),±1%±0.1A
3
＞200A時(shí),1A
＞200A時(shí),±1%
4
Vces
集電極-發(fā)射極電壓
0~5000V
1V
±1%,±1V
5
Ic
通態(tài)集電極電流
0~1200A
≤200A時(shí),0.1A
≤200A時(shí),±1%±0.1A
6
＞200A時(shí),1A
＞200A時(shí),±1%
7
Ices
集電極-發(fā)射極漏電流
0~50mA
1nA
±1%,±10μA
8
Vgeth
柵極-發(fā)射極閾值電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
9
Vcesat
集電極-發(fā)射極飽和電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
10
Igesf
正向柵極漏電流
0~10uA
1nA
±2%,±1nA
11
Igesr
反向柵極漏電流
12
Vges
柵極發(fā)射極電壓
0~40V
1mV
±1%,±1mV
     
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