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技術(shù)指標(biāo)

★

3.4

VGE(th)柵極閾值電壓

VGE：0.1～10V±1%±0.01V；

3.5

VGE(th)

測試條件與精度

集電極電流Ic：

10～50mA±1%±0.5mA；

50～200mA±1%±1mA；

200～1000mA±1%±2mA；

★

3.6

VCES集射極截止電壓

VCES：0-5000V±1%±2V；

3.7

VCES

測試條件與精度

集電極電流ICES：

0.01～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

★

3.8

ICES集射極截止電流

集電極電流ICES：0.01～50mA

0.001～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

3.9

ICES

測試條件與精度

集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V；

500～5000V±1%±2V；

★

3.10

VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降

集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V

3.11

VCE(sat)

測試條件與精度

柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V

集電極電流ICE：0-1600A

0～100A±1%±1A；

100～1600A±1%±1A；

★

3.12

Iges柵極漏電流

柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA

3.13

Iges測試條件與精度

柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V；

★

3.14

VF正向特性測試

二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V

3.15

VF正向特性測試

測試條件與精度

電流IF：0～100A±2%±1A；

100～1600A±1%±2A；