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貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。

1、測試條件對測量結(jié)果的影響

    首先考慮測量條件的問題，對于不同容值的貼片電容會采用不同的測試條件來測量容值，主要在測試電壓的設(shè)定和測試頻率的設(shè)定上有區(qū)別，下表所示為不同容值的量測條件:

電容

AC 電壓

頻率

容量>10μF

1.0± 0.2Vrms

120HZ

1000pF<容量≦10μF

1.0± 0.2Vrms

1kHz

容量≦ 1000pF

1.0± 0.2Vrms

1MHz

2、測量儀器的差異對測量結(jié)果的影響.

     大容量的電容（通常指1UF以上）測量時更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電容兩端的實際電壓不能達(dá)到測試條件所需求的電壓，這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測量結(jié)果誤差降到最低,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實際加在電容兩端所測的電壓盡量調(diào)整,使實際于待測電容上輸?shù)某鲭妷阂恢隆?/span>

注意： 上表中所示的電壓是指實際加在測試電容兩端的有效電壓（理想電壓）。

由于測試儀器的原因，加在電容兩端實際的輸出電壓與設(shè)定的測量電壓(理想電壓）實際上可能會有所出入。

3、影響高容量電容容值測量偏低的因素

（1） 測試儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.

   由于不同的測試儀器之間的內(nèi)部阻抗都不同，造成儀器將總電壓分壓而使加在測試電容兩端的實際電壓變小。在實際的測試過程中，我們有必要先使用萬用表等工具測試夾具兩端的實際電壓，以確定加在測試貼片電容兩端的輸出電壓。

（2）不同阻抗的測試儀器的輸出電壓對比如下：

儀器內(nèi)阻100Ω

1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V

10uF測試電容的兩端電壓 ：

 首先是陶瓷本體問題-斷裂或微裂，這是最常見的問題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯，而微裂一般出在內(nèi)部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。  

  其次是片狀電容電性能問題。片狀電容使用一段時間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。  

  以上兩個問題往往同時產(chǎn)生，互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項重要的參數(shù)，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效，引發(fā)了對片狀電容可靠性問題的爭論。

可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段：   

  第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時，有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。

  防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。   

  第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計各種應(yīng)力實驗條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實驗以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。