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正確認(rèn)識電容發(fā)熱及電容發(fā)熱的防范： 

   隨著電子設(shè)備的小型化、輕量化，部件的安裝密度高，放熱性低，裝置溫度易升高。尤其是功率輸出電路元件的發(fā)熱雖對設(shè)備溫度的上升有著重要影響，但電容器通過了大電流的用途（開關(guān)電源平滑用、高頻波功率放大器的輸出連接器用等）中，起因于電容器損失成分的功率消耗變大，使得自身發(fā)熱因素?zé)o法忽視。因此應(yīng)還在不影響電容器可靠性的范圍內(nèi)抑制電容器的溫度上升。
 
   電容器自身的發(fā)熱特性測量，應(yīng)在將電容器溫度極力抑制為對流、輻射產(chǎn)生的表面放熱或治具傳熱產(chǎn)生的放熱狀態(tài)下進行。此外，在電容率的電壓依賴性為非線形的高電容率類電容器中，需同時觀察加在電容器上的交流電流與交流電壓。小容量的溫度補償型電容器應(yīng)具備100MHz以上高頻中的發(fā)熱特性，因此須在反射較少的狀態(tài)下進行測量。
   

  用雙極電源將信號發(fā)生器的信號增幅，加在電容器上。用電流探頭（通用探頭）觀察此時的電流，使用電壓探頭觀察電容器的電壓。同時用紅外線溫度計測量電容器表面的溫度，明確電流、電壓及表面溫度上升的關(guān)系。
 
  組成系統(tǒng)的設(shè)備及電纜類均統(tǒng)一為50Ω，將測量試料裝在形成微帶線的基板上，兩端裝有SMA連接器。用高頻波放大器（Amplifier）增幅信號發(fā)生器（Signal GENERATOR）的信號，用定向耦合器（Coupler）觀察反射同時即施加在試料（DUT）上。用衰減器（Attenuator）使通過試料輸出的信號衰減，用電力計（Power Meter）觀測。同時觀測試料表面溫度。作為高介電常數(shù)的片狀多層陶瓷電容器系列發(fā)熱特性的測量數(shù)據(jù)，3216型10uF的B特性6.3V的發(fā)熱特性數(shù)據(jù)、阻抗和ESR的頻率特性。

我們的產(chǎn)品優(yōu)勢： 

1、交期快捷：我們自2004年3月份引進國外先進的全自動機器設(shè)備,生產(chǎn)實行全自動化,產(chǎn)品質(zhì)量及交貨時間具有絕對保證,在行業(yè)中最具優(yōu)勢； 

2、產(chǎn)品耐高溫：目前在國內(nèi)外行業(yè)中獨家技術(shù),繞線產(chǎn)品所用線材采用進口高溫材質(zhì),適應(yīng)回流焊,波峰焊及手工焊接所需工作環(huán)境及溫度,在特殊工作環(huán)境中使用本公司產(chǎn)品時,確保電氣參數(shù)及性能不受環(huán)境因素而改變； 

3、價格合理：因全自動化生產(chǎn)節(jié)省了大量人工成本,并且控制了生產(chǎn)作業(yè)當(dāng)中不良率及損耗的發(fā)生,從而節(jié)省了相當(dāng)一部份的材料成本,再加上制造技術(shù)專業(yè),所以產(chǎn)品價格在行業(yè)中最具性價比； 

4、參數(shù)穩(wěn)定：生產(chǎn)完工后,每批產(chǎn)品首先用高倍放大鏡對外觀實行全檢,測試儀表采用高精密的進口儀表,并定期送國家權(quán)威機構(gòu)效驗,確保產(chǎn)品電器參數(shù)的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性； 

5、焊接牢固：產(chǎn)品端面全部經(jīng)過特殊清潔,抗氧化處理,可焊性更強,焊接后更牢固,確保產(chǎn)品無虛焊,假焊現(xiàn)象,儲存時間及使用壽命長； 

6、環(huán)保節(jié)能：所有產(chǎn)品定期經(jīng)權(quán)威機構(gòu)（SGS）單位測試,均符合歐盟ROHS標(biāo)準(zhǔn)。 

產(chǎn)品包裝和售后服務(wù)： 

宇順制造0805/1206產(chǎn)品系列，一盤4000PCS/3000PCS，一箱100K。 

產(chǎn)品銷售售出后，宇順工程師持續(xù)為您提供技術(shù)支持和服務(wù)

 首先是陶瓷本體問題-斷裂或微裂，這是最常見的問題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯，而微裂一般出在內(nèi)部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過程中的機械、熱應(yīng)力等作用因素影響。

      其次是片狀電容電性能問題。片狀電容使用一段時間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。?????

以上兩個問題往往同時產(chǎn)生，互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項重要的參數(shù)，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效，引發(fā)了對片狀電容可靠性問題的爭論。