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自舉二管(VD1)和自舉電容(C1)是在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需要嚴(yán)格挑選和設(shè)計(jì)的元器件。在選擇自舉電容大小時(shí)應(yīng)綜合考慮,既不能太大影響窄脈沖的驅(qū)動(dòng)性能,也不能太小而影響寬脈沖的驅(qū)動(dòng)要求。需要在具體的調(diào)試過(guò)程中,進(jìn)行調(diào)整。自舉二管應(yīng)該選擇反向漏電流小的快恢復(fù)二管,以減少電荷的損失。
IR2113不能產(chǎn)生負(fù)偏壓,如果用于驅(qū)動(dòng)橋式電路,在半橋電感負(fù)載電路下運(yùn)行,處于關(guān)斷狀態(tài)下的IGBT,由于其反并聯(lián)二管的恢復(fù)過(guò)程,將承受C-E電壓的急劇上升。此靜態(tài)的dv/dt通常比IGBT關(guān)斷的上升率高。由于密勒效應(yīng),此dv/dt在集電和柵間電容內(nèi)產(chǎn)生電流,流向柵驅(qū)動(dòng)電路。雖然在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)柵電壓為零,由于柵電路的阻抗(柵的限流電阻和電感),該電流令IGBT門驅(qū)動(dòng)電壓增加。惡劣的情況就是該電壓達(dá)到閥值電壓,使該IGBT被導(dǎo)通,導(dǎo)致上下IGBT直通,橋臂短路。針對(duì)IR2113的不足,對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了改進(jìn),常見(jiàn)的有采用在柵限流電阻上反并聯(lián)一個(gè)二管來(lái)解決,但是效果不太明顯。柵電平箱位驅(qū)動(dòng)電路。在關(guān)斷期間將柵驅(qū)動(dòng)電平箱位到零電平,防止IGBT的誤導(dǎo)通
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