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     FUJI富士IGBT模塊2MBI1400VXB-170P-54量大從優(yōu)，  FUJI富士電機作為IGBT硅片生產(chǎn)領先廠家,最早將IGBT模塊引入中國。經(jīng)過十幾年的不斷發(fā)展,半導體器件已在國內(nèi)UPS、電鍍電源、變頻器領域得到了廣泛應用，已成為經(jīng)典使用器件。IGBT的下一代SiC(碳化硅)，日本更領先的技術是碳化硅。豐田曾經(jīng)公開表示：SiC具有與汽油發(fā)動機同等的重要性。從上世紀80年代開始，豐田就在研究SiC，比國際同行提前30年。是什么原因讓豐田這么重視碳化硅呢?畢竟目前SiC材料的成本據(jù)估算是IGBT的8-10倍。因為碳化硅是一個更先進的做控制器的電力電子芯片，可以通過大幅度提高電機的轉(zhuǎn)速實現(xiàn)電機比功率的升高，它的頻率和效率可以做到很高、體積可以非常小，比現(xiàn)在的IGBT要減少大概70—80%。參照美國能源部2025年目標，電機的功率密度是50千瓦/升，碳化硅控制器是100千瓦/升。碳化硅還具有在高頻率時損耗低的優(yōu)勢，能將車輛的效率再提高10%左右，這還意味著續(xù)航里程可以得到同樣的提升，電池成本有可能大幅下降。在應用方面，特斯拉Model3使用的控制器就是碳化硅，比亞迪也宣布已投入巨資布局第三代半導體材料SiC。此外，國內(nèi)還有多家團隊開始產(chǎn)業(yè)化。

估陽明高院士估計，到2025年會碳化硅將全面取代IGBT。這個時間表，中國將與世界同步。

       富士IGBT模塊型號2MBI1400VXB-170P-54原裝有現(xiàn)貨,其他型號如2MBI1000VXB-170E-54   2MBI1400VXB-120P-54   2MBI450VN-170-50    2MBI600VN-170P-50    2MBI150VA-120-50   2MBI650VXA-170E-54    2MBI800XNE-120等也都有現(xiàn)貨。
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