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采用主控芯片EN8F677E本身的低電壓復(fù)位功能來(lái)實(shí)現(xiàn)電子煙的短路保護(hù)，把芯片的LVR設(shè)定在2.4V，當(dāng)負(fù)載端短路時(shí)，芯片的VDD腳瞬間被拉低到2.4V以下，芯片復(fù)位，NMOS。管的控制腳回到上電復(fù)位的狀態(tài)，即為低電平切斷NMOS來(lái)保護(hù)MOS管。

EN8F677E 是8 位的基于EPROM 工藝，完全靜態(tài)CMOS 技術(shù)設(shè)計(jì)，集高速、體積小、低功耗和抗高噪聲一體的芯片。內(nèi)存包括2K 字節(jié)EPROM 、256 字節(jié)EEPROM 和256 字節(jié)靜態(tài)RAM。

二、特征:
 全靜態(tài)CMOS 設(shè)計(jì)
 8 位數(shù)據(jù)總線
 片上FLASH ROM 大小: 2.0 K
 內(nèi)部RAM 大小: 256 字節(jié)
 內(nèi)部EEPROM 大小: 256 字節(jié)
 37 單字節(jié)指令
 14-位指令寬度
 8 級(jí)堆棧
 工作電壓: 2.5 V ~ 5.5 V (PEDH 關(guān))
 4.5 V ~ 5.5 V (PEDH 開(kāi))
 工作頻率: DC ~ 20 MHz
 間接和直接尋址模式
 上電復(fù)位
 電源邊沿檢測(cè)復(fù)位
 掉電睡眠模式SLEEP
 捕捉/比較/PWM 模塊
 SSP 模塊
 USART 模塊
 14 中斷源:
-外部INT 引腳
-TMR0 , TMR1 , TMR2 定時(shí)器中斷
-A/D 轉(zhuǎn)換中斷
-PA/PB 中斷
-CCP1 中斷
-SSP 中斷
-USART 中斷
-2 比較器中斷
-EEPROM 寫(xiě)完成中斷
  比較器模塊
  A/D 轉(zhuǎn)換模塊:
  13 通道10 位AD 模塊
  TMR0: 8-bit 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
  TMR1: 16-bit 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
  TMR2: 8-bit 定時(shí)器
  通過(guò)配置OPTION 可選擇6 種類(lèi)型的時(shí)鐘:
EC－外部時(shí)鐘直接接入驅(qū)動(dòng)
IRC－內(nèi)部8MHz/4MHz/1Mhz RC 震蕩
ERC－低成本RC 震蕩
LFXT－低頻率晶振震蕩
XTAL－標(biāo)準(zhǔn)頻率晶振震蕩
HFXT－高頻率晶振震蕩
  基于看門(mén)狗定時(shí)器的片上RC 時(shí)鐘
  帶獨(dú)立方向控制的15/18 I/O