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    三極管是一種固態(tài)裝置元件，它具有體積小、效率高、壽命長及速度快等優(yōu)點。近年來由于技術的進步，已有大量的耐高壓、能承受大功率的晶體被制造出來，因此電晶體在功率放大上，一直扮演著重要的角色。

電晶體的結構很像二極體，不過比二極體多出了一個  接合面。將二層n型半導體，中間夾以一層很薄的p型半導體，即成npn型電晶體；或  將二層p型半導體，中間夾以一層很薄的n型半導體，即成pnp型電晶體。

    三極管將電晶體的三層晶片都分別列出接線成為電極，中間一片稱為基極(base,b)，另兩極分別稱為射極(emitter,e)  及集極(collector,c)。射極能發(fā)射多數(shù)載體，基極可控制流向集極之多數(shù)載體的數(shù)量。

三極管的主要參數(shù)  

1、直流參數(shù)  

（1）集電極一基極反向飽和電流Icbo，發(fā)射極開路（Ie=0)時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流，它只與溫度有關，在一定溫度下是個常數(shù)，所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為1～10微安，大功率鍺管的Icbo可達數(shù)毫安培，而硅管的Icbo則非常小，是毫微安級。  

（2）集電極一發(fā)射極反向電流Iceo(穿透電流）基極開路（Ib=0）時，集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓Vce時的集電極電流。 Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Iceo比硅管大。  

（3）發(fā)射極---基極反向電流Iebo集電極開路時，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時發(fā)射極的電流，它實際上是發(fā)射結的反向飽和電流。