去耦電容配置的一般原則如下 |
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易容網(wǎng)(www.mlcc1.com)現(xiàn)已建成全球最大的貼片電容搜索引擎數(shù)據(jù)庫(kù),包含全球26家電容生產(chǎn)廠商超過(guò) 33萬(wàn)組MLCC產(chǎn)品數(shù)據(jù),2016年將使產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫(kù)擴(kuò)充至整個(gè)被動(dòng)元器件領(lǐng)域,覆蓋電容、電阻、電感等。用戶(hù)可根 據(jù)行業(yè)應(yīng)用、物料編號(hào)、規(guī)格參數(shù)、原廠品牌等信息快速找到所有相關(guān)的電容、電阻、電感產(chǎn)品信息,以及產(chǎn)品所 對(duì)應(yīng)的大陸地區(qū)一級(jí)授權(quán)分銷(xiāo)商信息,實(shí)現(xiàn)被動(dòng)元器件領(lǐng)域的供應(yīng)鏈信息全面、精準(zhǔn)覆蓋。 ● 電源輸入端跨接一個(gè)10~100uF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會(huì)更好。 ● 為每個(gè)集成電路芯片配置一個(gè)0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時(shí),可每4~10個(gè)芯片配置一個(gè)1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。 對(duì)于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲(chǔ)型器件,應(yīng)在芯片的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。 ● 去耦電容的引線不能過(guò)長(zhǎng),特別是高頻旁路電容不能帶引線。 ● 在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時(shí).操作它們時(shí)均會(huì)產(chǎn)生較大火花放電,必須RC 電路來(lái)吸收放電電流。一般 R 取 1 ~ 2K,C取2.2 ~ 47UF。 ● CMOS的輸入阻抗很高,且易受感應(yīng),因此在使用時(shí)對(duì)不用端要接地或接正電源。 ● 設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)確定使用高頻低頻中頻三種去耦電容,中頻與低頻去耦電容可根據(jù)器件與PCB功耗決定,可分別選47-1000uF和470-3300uF;高頻電容計(jì)算為: C=P/V*V*F。 ● 每個(gè)集成電路一個(gè)去耦電容。每個(gè)電解電容邊上都要加一個(gè)小的高頻旁路電容。 ● 用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容作電路充放電儲(chǔ)能電容。使用管狀電時(shí),外殼要接地。 轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明文章來(lái)源易容網(wǎng) (www.mlcc1.com) |
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