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高性能RISC CPU：
? 只需學(xué)習(xí)35 條指令
- 除程序分支指令外，其余所有指令均為單周期
指令。
? 工作速度：
- DC-20 MHz 振蕩器/時(shí)鐘輸入
- DC-200 ns 指令周期
? 中斷能力
?8 級(jí)深硬件堆棧
? 直接尋址，間接尋址，相對(duì)尋址等尋址模式
單片機(jī)性能特性：
? 可選擇內(nèi)部和外部振蕩器
- 內(nèi)部高精度4MHz 振蕩器，出廠時(shí)精度校準(zhǔn)為
±1%
- 可使用晶振和諧振器作為外部振蕩器
- 電壓典型值為3.0V 時(shí)，從休眠模式喚醒只需
5 μs
? 省電休眠模式
? 寬工作電壓范圍：2.0V 到5.5V
? 工業(yè)級(jí)和擴(kuò)展級(jí)溫度范圍
? 低功耗的上電復(fù)位（POR）
? 上電定時(shí)器（PWRT）和振蕩器起振定時(shí)器
（OST）
? 欠壓檢測(cè)（BOD）
? 帶有獨(dú)立振蕩器的看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）以保證
可靠運(yùn)行
? 復(fù)用MCLR/ 輸入引腳
? 引腳電平變化可觸發(fā)中斷
? 獨(dú)立的可編程弱上拉功能
? 可編程代碼保護(hù)
? 高持久性的FLASH/EEPROM 單元
-FLASH 可經(jīng)受100,000 次寫(xiě)操作
- EEPROM 可經(jīng)受1,000,000 次寫(xiě)操作
-FLASH/數(shù)據(jù)EEPROM的數(shù)據(jù)保存期超過(guò)40年
低功耗特性：
? 待機(jī)電流：
-1nA@2.0V，典型值
? 運(yùn)行電流：
-8.5 μA@32 kHz，2.0V，典型值
-100 μA@1 MHz，2.0V，典型值
? 看門(mén)狗定時(shí)器電流：
- 300 nA@2.0V，典型值
?Timer1 振蕩器電流：
-4 μA@32 kHz，2.0V，典型值
外設(shè)特性：
?12 個(gè)具備獨(dú)立方向控制功能的I/O 引腳
? 高拉/灌電流能力，可直接驅(qū)動(dòng)LED
? 模擬比較器模塊：
- 一個(gè)模擬比較器
- 可編程的片內(nèi)比較器基準(zhǔn)電壓（CVREF）模
塊
- 與器件輸入引腳復(fù)用的可編程輸入
- 可對(duì)比較器輸出進(jìn)行外部訪問(wèn)
? 模數(shù)轉(zhuǎn)換器模塊（PIC16F676）：
-10 位分辨率
- 可編程的8 通道輸入
- 基準(zhǔn)電壓輸入