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AR251全極高靈敏度低電壓霍爾開關(guān)

霍爾元件AR251是基于CMOS工藝設(shè)計和生產(chǎn)的霍爾IC，元件內(nèi)部集成了霍爾效應(yīng)片、電壓調(diào)節(jié)器、休眠喚醒控制電路、信號放大濾波電路、偏移補償電路、施密特觸發(fā)器，互補推挽輸出。它是一種雙磁極性磁感應(yīng)開關(guān)，能夠感應(yīng)到磁體的N極和S極的磁場強度，AR251通過周期性休眠和喚醒工作，達到降低功耗的作用。，喚醒期間檢測環(huán)境磁場強度，休眠狀態(tài)保持最后輸出狀態(tài)。

霍爾磁性開關(guān)AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封裝，適合用于越來越輕薄的便攜移動設(shè)備中，所有封裝都符合RoSH環(huán)保標準。

產(chǎn)品特性及優(yōu)點

低功耗，I_DD=5uA

等同敏感N和S極

互補推挽輸出

靈敏度溫漂小A

高靈敏度

工作電壓1.65~6V

無鉛封裝：SOT-23/TSOT-23/TO-92/QFN

霍爾元件應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體。
所謂霍爾效應(yīng)，是指磁場作用于載流金屬導(dǎo)體、半導(dǎo)體中的載流子時，產(chǎn)生橫向電位差的物理現(xiàn)象。金屬的霍爾效應(yīng)是1879年被美國物理學(xué)家霍爾發(fā)現(xiàn)的。當電流通過金屬箔片時，若在垂直于電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側(cè)面會出現(xiàn)橫向電位差。半導(dǎo)體中的霍爾效應(yīng)比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在特定溫度以下將呈現(xiàn)極強的霍爾效應(yīng)。

由于通電導(dǎo)線周圍存在磁場，其大小和導(dǎo)線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導(dǎo)線電流的大小。利用這一原理可以設(shè)計制成霍爾電流傳感器。其優(yōu)點是不和被測電路發(fā)生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合于大電流傳感。
若把霍爾元件置于電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產(chǎn)生電流I，元件上同時產(chǎn)生的霍爾電位差和電場強度E成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH確定。
利用這種方法可以構(gòu)成霍爾功率傳感器。
如果把霍爾元件集成的開關(guān)按預(yù)定位置有規(guī)律地布置在物體上，當裝在運動物體上的永磁體經(jīng)過它時，可以從測量電路上測得脈沖信號。根據(jù)脈沖信號列可以傳感出該運動物體的位移。若測出單位時間內(nèi)發(fā)出的脈沖數(shù)，則可以確定其運動速度。

霍爾開關(guān)又分：單極性霍爾開關(guān)、雙極性霍爾開關(guān)、無極性霍爾開關(guān)（或全極性霍爾開關(guān)），這里的極性是指磁鐵的極性N極（北極）或S（南極）極，那么單極性霍爾開關(guān)是指開關(guān)的正反面會指定磁場某一極性靠近離開才會有開關(guān)效應(yīng)。一般情況單極霍爾開關(guān)的的正面（字面）會指定磁場S極有效，霍爾開關(guān)的反面靠近N極有效 ，歡迎致電，為您提供指導(dǎo)選型，讓您開發(fā)無優(yōu)！如果你是采購，請告知貴司所需求的型號，如果你是工程并正在選型，請告知貴司的要求