4-20ma 40MPa壓力變送器測(cè)量介質(zhì) |
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定義
硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)(一般步于400微應(yīng)變),其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化,從而其電阻率變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化,這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散,沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋,利用硅材料的彈學(xué)特性,在同一切硅材料上進(jìn)行各向微加工,就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體的擴(kuò)散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關(guān)部件,使之輸出一個(gè),就組成了一整的擴(kuò)散硅壓力變送器。
工作原理 被測(cè)介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上(不銹鋼或陶瓷),使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻值發(fā)生變化,和用電子線路檢測(cè)這一變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這一壓力的測(cè)量。
技術(shù)指標(biāo)
輸出特性:
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