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概括：

MYCRO原裝進(jìn)口荷蘭光刻機(jī)（光刻機(jī)Mask MSMA），是全球的光刻系統(tǒng)，為半導(dǎo)體制造和科研領(lǐng)域提供品質(zhì)優(yōu)良穩(wěn)定的全波段紫外光刻機(jī)系統(tǒng)，廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻工藝制程、微機(jī)電MEMS、二極管芯片、發(fā)光二極體（LED）芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領(lǐng)域�？蛻羧缑绹�(guó)航空航天公司、飛利浦、摩托羅拉、惠普、牛津大學(xué)、劍橋大學(xué)、斯坦福大學(xué)、倫敦大學(xué)等等。

技術(shù)參數(shù)：

光刻機(jī)分為半自動(dòng)和全自動(dòng)兩大系列。SMA-600M是用于研發(fā)和多產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域的手動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)儀，采用清晰的光學(xué)系統(tǒng)和完全非接觸式校準(zhǔn)單元。通過(guò)接觸或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工藝中Z適合用于各種電子設(shè)備的系統(tǒng)，例如LD，LED等化合物半導(dǎo)體，以及包括壓力傳感器等在內(nèi)的微型機(jī)械的制造工藝。

1、光掩模的尺寸：5英寸Z大；

2、晶片大�。篫高4英寸(無(wú)定形)；

3、掩模架滑動(dòng)：手動(dòng)卡盤；

4、模板移動(dòng)：X=±3mm, Y=±3mm；

5、曝光方法：支持接近式曝光，各種接觸式（軟接觸/硬接觸/間隙印刷/真空接觸/低真空接觸）曝光；

6、照明：250W超高壓水銀燈

7、照明不均勻性：±5

8、有效接觸面積：直徑o100毫米

9、分辨率：3mμL/S

10、對(duì)齊方法：通過(guò)攝像頭查看

11、對(duì)齊物鏡：10 x(上/下)

12、總放大倍率：100 x

13、物鏡分離：15?90毫米

14、對(duì)準(zhǔn)范圍：X,Y=±4毫米

15、對(duì)準(zhǔn)間隙：99年09年μm

16、對(duì)準(zhǔn)精度：小于±5毫米

17、主機(jī)電源：100-200交流，50/60Hz, 15A (600W)

18、氮?dú)猓?.4?0.5 Mpa

19、真空壓力：小于21.3kPa(大氣壓-80kPa)

三、產(chǎn)品特點(diǎn)：

用于研發(fā)，多產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域

技術(shù)的前沿

采用完全非接觸式校準(zhǔn)系統(tǒng)

校準(zhǔn)時(shí)不會(huì)損壞掩模和晶圓

間隙精度的顯著提高

基于“輔助線”的高精度對(duì)準(zhǔn)是可能的

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