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可供定制化SiC外延片，包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延，用于碳化硅器件的開發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質(zhì)外延片是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備的，進(jìn)一步制成功率器件。具體以MOS級碳化硅外延片規(guī)格為例：

1. 碳化硅外延片參數(shù)表

2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片？
外延是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)流程中的一個重要過程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造，且?guī)缀跏峭ㄟ^外延生長獲得的，碳化硅外延片的質(zhì)量將對器件的性能產(chǎn)生很大影響。此外，外延層處于整個半導(dǎo)體工藝的中間位置，這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響�？傊蓟柰庋庸に囋谄骷闹苽渲衅鹬匾饔�。

3. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應(yīng)用于射頻（如：5G通信、雷達(dá)）、新能源汽車、固態(tài)光源等領(lǐng)域。

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