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高導熱SiC單晶襯底切割服務(wù)支持4\/6\/8英寸晶片

$高導熱SiC單晶襯底切割服務(wù)支持4\/6\/8英寸晶片$	價格：1.00 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時間：2025-03-27 19:16:32	瀏覽量：10
	廈門中芯晶研半導體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導體	主要客戶：
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產(chǎn)品參數(shù)
高導熱 SiC 單晶襯底切割服務(wù) 支持4/6/8英寸晶片品牌	中芯晶研
批號	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
最小包裝量	1
品名	碳化硅晶片
晶型	4H
厚度	可定制
表面處理	單面或雙面拋光
外觀	薄膜片
尺寸	4、6、8英寸
數(shù)量	1
售賣地區(qū)	全國
可售賣地	全國
用途	半導體領(lǐng)域
等級	工業(yè)級、研究級、測試級
型號	N型、P型、半絕緣型

可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據(jù)導電類型，碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數(shù)僅供參考：

1. 碳化硅襯底規(guī)格
1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規(guī)格

1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格

2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學和電化學性能，具體參數(shù)如下表：

3. 碳化硅襯底片應(yīng)用

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