硅晶棒多線切割清洗劑晶圓襯底切割清洗劑晶圓襯底研磨拋光清洗劑硅片清洗劑芯片半導(dǎo)體清洗劑 |
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硅晶棒多線切割清洗劑?硅片清洗劑?晶圓襯底研磨拋光清洗劑 晶圓襯底切割清洗劑 芯片半導(dǎo)體顆粒物清洗劑 r行業(yè)應(yīng)用: r在芯片制造過(guò)程中,任何的沾污都可能影響半導(dǎo)體器件的性能,甚至引起失效。因此,幾乎在芯片制造的每一道工序前后,都需要進(jìn)行清洗工藝,去除表面的污染物,保證晶圓表面的潔凈度。 r在晶圓切割過(guò)程中,有大量的磨屑和切割劑存在,在研磨拋光過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生超細(xì)微的顆粒、有機(jī)殘留物、無(wú)機(jī)殘留物和需要去除的氧化層;顆粒和金屬雜質(zhì),嚴(yán)重影響器件的質(zhì)量和成品率,因此需要對(duì)硅片、晶圓襯底進(jìn)行清洗以去除這些雜質(zhì),保證晶圓質(zhì)量。 r產(chǎn)品概述: r晶圓襯底研磨拋光清洗劑(硅晶棒切片清洗劑)SC182是我司專(zhuān)為晶圓襯底、硅晶片超精密加工研發(fā)的水基清洗劑,利用化學(xué)剝離的原理有效將鍵入在硅片表面的各種污染物去除,清洗劑中的活性物質(zhì)可以吸附在硅片表面,使其長(zhǎng)期處于易清洗的物理吸附狀態(tài)(>120h),而不像難清洗的化學(xué)吸附狀態(tài)轉(zhuǎn)化,并在表面形成保護(hù)層,防止顆粒的二次吸附,實(shí)現(xiàn)了把有害吸附轉(zhuǎn)化為無(wú)害吸附,有效提高外延或擴(kuò)散工序的成品率。 r應(yīng)用領(lǐng)域: r晶圓襯底清洗劑SC182主要應(yīng)用于單晶硅、硅晶體、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、氮化鋁等各種硅片、晶圓襯底切割與拋光后的清洗,適用于浸漬、噴淋、超聲波等清洗方式。 r產(chǎn)品特點(diǎn): r1.能快速清洗產(chǎn)品表面的硅粉、細(xì)小顆粒物,清除金屬離子、氧化物、有機(jī)污染物、無(wú)機(jī)污染物、切割液、拋光液殘留; r2.清洗后產(chǎn)品良率可達(dá)99.8; r3.對(duì)工件表面無(wú)腐蝕,無(wú)殘留,不變色,無(wú)斑白點(diǎn),表面潔凈、無(wú)劃傷; r4.不影響導(dǎo)電性能,不損傷電路及芯片鍍膜層; r5.滲透、去污力強(qiáng),適合于形狀復(fù)雜電子零部件及深孔部件; r6.操作方便,清洗效率高; r7.無(wú)毒,無(wú)閃點(diǎn),不燃不爆,使用安全; r8.水基環(huán)保,可做到零排放、可生物降解,符合 ROHS 指令。 r物性參數(shù): r
操作工藝: r清洗殘留顆粒物:晶圓襯底清洗劑SC182原液1:5-10兌水稀釋使用,需加溫40-60℃,超聲波清洗5-10分鐘; r清洗殘留研磨液:超聲波清洗設(shè)備超聲振動(dòng),根據(jù)臟污情況原液使用,或兌水稀釋5-10倍使用; r適用于多晶硅、單晶硅、各種晶圓襯底及延伸產(chǎn)品浸漬、噴淋清洗處理。超聲波效果更佳。 r產(chǎn)品包裝、貯存和運(yùn)輸: r? r塑料桶包裝: 25KG/桶,非危險(xiǎn)品易于儲(chǔ)存和運(yùn)輸; r? r貯存期兩年,不能露天存放,防止日曬雨淋; r? r未使用完的清洗劑須將桶蓋擰緊,避免水分及雜質(zhì)混入。 r? r? |
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