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銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)可供襯底與外延片

	價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2024-12-27 22:29:23	瀏覽量：11
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
數(shù)量	10
直徑	2、3、4英寸
晶向	（100）、（111）
拋光	單面、雙面
使用	開盒即用
摻雜類型	Zn、Te
可售賣地	全國
型號(hào)	N型、P型

銻化鎵（GaSb）單晶屬于III-V族化合物材料，具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)。該材料適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件�？商峁╀R化鎵晶片，參數(shù)如下僅供參考：

1. GaSb 單晶片

2.?GaSb單晶特性
2.1 化學(xué)性能

2.2 電氣性能

2.3 熱學(xué)、機(jī)械和光學(xué)性能

3. GaSb單晶應(yīng)用
GaSb晶片可用于制備紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。

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