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單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導(dǎo)體晶片

	價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2024-12-27 22:28:54	瀏覽量：6
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營(yíng)模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
數(shù)量	10
晶向	（111）、（110）
直徑	2、3、4英寸
應(yīng)用	半導(dǎo)體器件
可售賣地區(qū)	全國(guó)
可售賣地	全國(guó)
型號(hào)	N型、P型

砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導(dǎo)體，類似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點(diǎn)為942°C，晶格常數(shù)為0.6058nm，砷化銦晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。
可供N型和P型半導(dǎo)體砷化銦晶片，規(guī)格參數(shù)如下：

1. 砷化銦單晶片規(guī)格

2. InAs晶片應(yīng)用
InAs單晶具有高電子遷移率，是制造霍爾器件的理想材料。此外，InAs晶片的發(fā)射波長(zhǎng)為3.34μm，在InAs襯底上可以生長(zhǎng)晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纖通信激光器和探測(cè)器。

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