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紫外光刻曝光系統(tǒng)
1、曝光面積：110mm×110mm

2、曝光波長(zhǎng)：365nm（純凈光源）

2、分辨力：　1.5μm

3、對(duì)準(zhǔn)精度 ± 1μm

4、掩模樣片整體運(yùn)動(dòng)范圍：X：6mm;Y:6mm

5、掩模尺寸：2.5寸、3寸、4寸、5寸

6、直徑Ф15mm--Ф100mm、厚度0.1mm--6mm(可擴(kuò)展為15mm)；

7、照明均勻性：±3

9、掩模相對(duì)于樣片運(yùn)動(dòng)行程： X:±5mm; Y:±5mm; θ: ±6度

10、汞燈功率：200W

11、曝光量設(shè)定：定時(shí)曝光 定時(shí)（到計(jì)時(shí)方式 0.1s-999s任意設(shè)定、設(shè)定精度0.1s）

12、雙目雙視場(chǎng)顯微鏡：物鏡三隊(duì)：4X、10X、20X，目鏡三對(duì)：10X、16X、20X或者 升級(jí)為無(wú)極變倍，觀測(cè)更加方便。

應(yīng)用領(lǐng)域

集成電路芯片、電子封裝、微電子機(jī)械系統(tǒng)、微光學(xué)元件、紅外探測(cè)器生物電泳芯片、激光二極管光刻、光柵光刻，波導(dǎo)陣列光刻、液晶顯示聲表器件、平板顯示器、大尺寸光柵、碼盤刻劃等