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　　EMI測(cè)試主要包含什么內(nèi)容?

　　Radiated Emission -輻射擾測(cè)試

　　Conducted Emission-傳導(dǎo)擾測(cè)試

　　Harmonic-諧波電流擾測(cè)試

　　Flicker-電壓變化與閃爍測(cè)試

　　ESD的測(cè)試方法類似FAB里面的GOI測(cè)試，指定pin之后先給他一個(gè)ESD電壓，持續(xù)一段時(shí)間后，然后再回來(lái)測(cè)試電性看看是否損壞，沒(méi)問(wèn)題再去加一個(gè)step的ESD電壓再持續(xù)一段時(shí)間，再測(cè)電性，如此反復(fù)直至擊穿，此時(shí)的擊穿電壓為ESD擊穿的臨界電壓(ESD failure threshold Voltage)。通常我們都是給電路打三次電壓(3 zaps)，為了降低測(cè)試周期，通常起始電壓用標(biāo)準(zhǔn)電壓的70 ESD threshold，每個(gè)step可以根據(jù)需要自己調(diào)整50V或者100V。

　　我們?nèi)绾闻袛郋MS試驗(yàn)結(jié)果的好壞呢？

　　對(duì)于 EMS（電磁敏感性）試驗(yàn)，其性能判斷依據(jù)可分為四個(gè)等級(jí)：

　　A 級(jí)：試驗(yàn)中性能指標(biāo)正常；

　　B 級(jí)：試驗(yàn)中性能暫時(shí)降低，功能不喪失，試驗(yàn)后能自行恢復(fù)；

　　C 級(jí)：功能允許喪失，但能自恢復(fù)，或操作者干預(yù)后能恢復(fù)；

　　R 級(jí)：除保護(hù)元件外，不允許出現(xiàn)因設(shè)備（元件）或軟件損壞或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能降低。

　　因?yàn)镋FT脈沖不僅成群出現(xiàn)，還具有重復(fù)頻率高、波形上升時(shí)間短暫等特點(diǎn)。

　　因此很有可能因?yàn)槟畴娐返臋C(jī)械開關(guān)，對(duì)電感性負(fù)載的切換，而對(duì)同一電路的其它電氣和電子設(shè)備產(chǎn)生干擾，所以交換機(jī)必須做EFT實(shí)驗(yàn)。

　　試驗(yàn)的目的是驗(yàn)證由閃電、接地故障、電源開關(guān)動(dòng)作、或電路中繼電器等電感性負(fù)載動(dòng)作，而引起的瞬時(shí)擾動(dòng)對(duì)整個(gè)控制回路中產(chǎn)生干擾時(shí)，交換機(jī)的抗干擾能力。