| CMP設(shè)備化學(xué)機(jī)械平坦化晶圓減薄拋光薄膜拋光 |
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.jpg) .jpg) .jpg) .jpg) CMP 拋光過(guò)程中通過(guò)對(duì)拋光狀態(tài)的分析，最終實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)功能，即使晶圓到達(dá)指定的厚度后，拋光盤停止轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓最終厚度的精準(zhǔn)控制，多用于除層平坦化等工藝。 |
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