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CDE　ResMap–CDE CDE ResMap 四點(diǎn)探針 (ResMap 178)　公司生產(chǎn)之電阻值測(cè)試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進(jìn)出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，既超卓可靠又簡(jiǎn)易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家不可缺少的

CDE ResMap 四點(diǎn)探針 (ResMap 178)
CDE 提供自動(dòng)計(jì)算機(jī)量測(cè)的四點(diǎn)探針阻值量測(cè)機(jī)臺(tái)�？焖�，精確與軟件控制下針、軟件功能可最佳化下針壓力，即使薄片量測(cè)也不易破裂。自動(dòng)清針(Probe Conditioning);動(dòng)作，雙針頭切換。太陽(yáng)能使用可支持自動(dòng)Loader，300mm 機(jī)臺(tái)可使用Front End，最多擴(kuò)充3個(gè)量測(cè)單元，支持Semi標(biāo)準(zhǔn)接口。

光伏測(cè)試專用美國(guó)ResMap四點(diǎn)探針
CDE ResMap的特點(diǎn)如簡(jiǎn)述如下: * 高速穩(wěn)定及專利自動(dòng)決定范圍量測(cè)與
傳送,THROUGHPUT高 * 數(shù)字方式及每點(diǎn)高達(dá)4000筆數(shù)據(jù)搜集,表現(xiàn)良
好重復(fù)性及再現(xiàn)性 * Windows 操作接口及軟件操作簡(jiǎn)單 * 新制程表現(xiàn)佳
(銅制程低電阻率1.67mΩ-cm及Implant高電阻2KΩ/□以上,皆可達(dá)成高精
確度及重復(fù)性) * 體積小,占無(wú)塵室面積少 * 校正簡(jiǎn)單,且校正周期長(zhǎng) * 可配
合客戶需求,增強(qiáng)功能與適用性 * 300mm 機(jī)種可以裝2~4個(gè)量測(cè)頭,并且
可以Recipe設(shè)定更換
CDE　ResMap–CDE　公司生產(chǎn)之電阻值測(cè)試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進(jìn)出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，超卓可靠又簡(jiǎn)易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家不可缺少的。

主要特點(diǎn)： 測(cè)量范圍廣,精度高,穩(wěn)定性好,功能齊全強(qiáng)大,軟件好用,維修成本低,服務(wù)好,配件齊全
美國(guó)進(jìn)口四探針電阻率測(cè)試儀(4PP)/方塊電阻測(cè)試儀/太陽(yáng)能光伏擴(kuò)散薄層電阻測(cè)試儀（Four point probe(4PP)）
設(shè)備名稱: 四點(diǎn)探針電阻儀 (CDE ResMap)
主機(jī)廠牌、型號(hào)與附件: CDE ResMap

規(guī)格:
1. Pin material: Tungsten Carbide.
2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.
3. 樣品尺寸: 2吋至6吋晶圓 (表面須為平整的導(dǎo)電薄膜，半導(dǎo)體材料)
設(shè)備用途: 導(dǎo)電薄膜的電阻值分布測(cè)量，半導(dǎo)體，光伏
特點(diǎn)：
1）針尖壓力一致
2）適用于各種基底材料
3）友好的用戶界面
4）快速測(cè)量
5）數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)

應(yīng)用：
1）方塊電阻

2）薄片電阻

3）摻雜濃度

4）金屬層厚度

5）P/N類型

6）I/V測(cè)試