| 產(chǎn)品參數(shù) |
| 品牌 | MURATA村田 |
| 封裝/規(guī)格 | |
| 最小包裝量 | 卷 |
| 可售賣地 | 北京;天津;河北;山西;內(nèi)蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏;新疆 |
| 型號(hào) | | |
村田MURATA電子株式會(huì)社村田制作所（以下簡(jiǎn)稱“本公司”）已將面向下一代功率半導(dǎo)體之一的GaN(1)器件門驅(qū)動(dòng)器的絕緣DC-DC轉(zhuǎn)換器“MGN1系列”（以下簡(jiǎn)稱“本產(chǎn)品”）商品化。現(xiàn)已開始量產(chǎn)。
(1)GaN：由鎵和氮的化合物制成的化合物半導(dǎo)體。被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體之一，因?yàn)樗c目前用于半導(dǎo)體的硅同樣耐電壓，并且具有更廣的電感應(yīng)控制范圍（帶隙）。
近年來，在需要快速充電的電動(dòng)汽車（EV）充電站等場(chǎng)所，能夠承受高電壓且功率損耗低的下一代功率半導(dǎo)體已開始普及。村田MURATA電子即使在下一代功率半導(dǎo)體當(dāng)中，GaN也因具有能夠以高頻率進(jìn)行開關(guān)操作的特點(diǎn)，所以特別需要能夠承受因開關(guān)動(dòng)作而產(chǎn)生的電壓波動(dòng)和高電壓的絕緣DC-DC轉(zhuǎn)換器。
村田MURATA電子開發(fā)了具有以下特點(diǎn)的產(chǎn)品。
村田MURATA電子初級(jí)和次級(jí)之間的絕緣電容低
村田MURATA電子初級(jí)和次級(jí)之間的絕緣電容低
減少因開關(guān)操作而產(chǎn)生的電壓波動(dòng)導(dǎo)致從輸出流到輸入的電流降低。
共模瞬態(tài)耐電壓
共模瞬態(tài)耐電壓>200kV/μs，因此能夠應(yīng)對(duì)高頻開關(guān)操作產(chǎn)生的電壓波動(dòng)，并減少這種電壓波動(dòng)對(duì)初級(jí)電路的電氣影響。
高絕緣耐電壓
即使施加高電壓也能保持絕緣性能。
此外，由于本產(chǎn)品是薄型設(shè)計(jì)，因此可以在有限的空間內(nèi)安裝。
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