| 霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)載流子濃度遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等均可測(cè)量 |
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價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地：湖北武漢 |
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霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng) HET 是依據(jù)范德堡法測(cè)量材料的電運(yùn)輸性能參數(shù):載流子濃度遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或薄層材料均可測(cè)量，可應(yīng)用于所有半導(dǎo)體材料，包括 Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可測(cè)量)，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)高校、研究所、半導(dǎo)體、金屬、高熱導(dǎo)有機(jī)新材料等行業(yè)。 產(chǎn)品特點(diǎn) 應(yīng)用功能 
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