| 產(chǎn)品參數(shù) |
| 品牌 | 華科智源 |
| 名稱 | 浪涌電流測試儀 |
| 環(huán)境溫度 | 15—40℃ |
| 相對濕度 | 存放濕度不大于80 |
| 大氣壓力 | 86Kpa—106Kpa |
| 海拔高度 | 1000米以下 |
| 電網(wǎng)電壓 | AC220V±10無嚴重諧波 |
| 電網(wǎng)頻率 | 50Hz±1Hz |
| 電源功率 | 小于1.5KW |
| 供電電網(wǎng)功率因數(shù) | ＞0.9 |
| 浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍 | 30～1200A；選配3000A |
| 8000A |
| 20kA |
| 50kA等 |
| 浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求 | 顯示分辨率1A精度±3 |
| 浪涌電流（ITSM/IFSM）波形 | 近似正弦半波 |
| 浪涌電流底寬 | 8.3和10ms；選配1ms |
| 10us等 |
| 測試頻率 | 單次；重復 |
| 反向電壓（VRRM）測試范圍 | 200～2000V |
| 反向電壓（VRRM）顯示分辨率 | 精度±3 |
| 反向電壓頻率 | DC直流 |
| 可售賣地 | 全國 |
| 型號 | HUSTEC-IFSM-1200A | |
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華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。
半導體器件在工作時，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。
華科智源浪涌電流試驗儀的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標準。浪涌電流試驗臺，是二極管等相關(guān)半導體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點：
1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設(shè)備，對設(shè)備的電氣性能要求高。
2、該試驗臺的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進行自動測試。
3、該試驗臺采用計算機記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理。
4、該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成：
a、浪涌測試單元
b、阻斷參數(shù)測試單元
c、計算機控制系統(tǒng)
二、技術(shù)條件
2.1 環(huán)境要求：
1、環(huán)境溫度：15—40℃
2、相對濕度：存放濕度不大于80
3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa
4、海拔高度：1000米以下
5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10無嚴重諧波
6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
7、電源功率：小于1.5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9
2.2主要技術(shù)指標：
1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等
2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3
浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；
3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等
4、測試頻率：單次；重復
5、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V；
6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3；
7、反向電壓頻率：DC直流
8、各種模塊均手動連接，并以單管形式測試。
9、采用計算機控制、采樣及顯示；
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