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傳統(tǒng)的RCA清洗技術(shù)：所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統(tǒng)



清洗工序：SC-1 → DHF → SC-2



1. SC-1清洗去除顆粒：


⑴ 目的：主要是去除顆粒沾污（粒子）也能去除部分金屬雜質(zhì)。



⑵ 去除顆粒的原理：



硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。


① 自然氧化膜約0.6nm厚，其與NH4OH、H2O2濃度及清洗液溫 度無關(guān)。


② SiO2的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無關(guān)。


③ Si的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而快，當(dāng)?shù)竭_(dá)某一濃度后為一定值，H2O2濃度越高這一值越小。