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?N32G432系列采用32 bit ARM Cortex-M4內(nèi)核，*高工作主頻108MHz，支持浮點運算和DSP指令，集成高達128KB嵌入式加密Flash，32KB SRAM，集成豐富的高性能模擬器件，內(nèi)置1個12bit 5Msps ADC，1個1Msps 12bit DAC，集成多路U(S)ART、I2C、SPI、USB、CAN等數(shù)字通信接口, 內(nèi)置密碼算法硬件加速引擎

■?內(nèi)核CPU

― 32位ARM Cortex-M4 內(nèi)核 FPU，單周期硬件乘除法指令，支持DSP指令和MPU

― 內(nèi)置2KB 指令Cache緩存，支持Flash加速單元執(zhí)行程序 0 等待

― *高主頻108MHz，135DMIPS

■?加密存儲器

― 高達128KByte片內(nèi)Flash，支持加密存儲、分區(qū)管理及數(shù)據(jù)保護，支持硬件ECC校驗，10萬次擦寫次數(shù)，10年數(shù)據(jù)保持

― 高達32KByte片內(nèi)SRAM（包含8KByte Retention RAM），支持硬件奇偶校驗

■?低功耗管理

― Power down 模式：0.8uA

― Standby模式：2uA，所有備份寄存器保持，所有IO保持，可選RTC Run,8KByte Retention SRAM保持， 快速喚醒

― Stop2模式：4uA，RTC Run ，8KByte Retention SRAM保持，CPU寄存器保持，所有IO保持，快速喚醒

■?高性能模擬接口

― 1個12bit 5Msps ADC，多種精度可配置，6bit 模式下采樣率高達9Msps，多達16路外部單端輸入通道，支持差分模式

― 1個12bit DAC，采樣率1Msps

― 內(nèi)部2.048V獨立參考電壓基準源

― 所有模擬接口支持1.8~3.6V全電壓工作

■?時鐘

― 4MHz~32MHz外部高速晶體

― 32.768KHz外部低速晶體

― 內(nèi)部高速RC 16MHz

― 內(nèi)部低速RC 40KHz

― 內(nèi)置高速PLL

― 支持1路時鐘輸出，可配置為低速或高速時鐘輸出

■?復位

― 支持上電/掉電/外部引腳復位

― 支持可編程的低電壓檢測及復位

― 支持看門狗復位

■?*大支持52個 GPIOs，*大翻轉(zhuǎn)速度50MHz.

■?通信接口

― 5個U(S)ART接口，其中3個USART接口（支持1xISO7816，1xIrDA，LIN），2個UART接口

― 1個LPUART，支持STOP2低功耗狀態(tài)下喚醒MCU

― 2個SPI接口，速率高達27 MHz，支持I2S通信

― 2個I2C接口，速率高達1 MHz，主從模式可配，從機模式下支持雙地址響應(yīng)

― 1個USB2.0 FS Device接口

― 1個CAN 2.0B總線接口

■?1個高速DMA控制器，每個控制器支持8通道，通道源地址及目的地址任意可配

■?RTC實時時鐘，支持閏年萬年歷，鬧鐘事件，周期性喚醒,支持內(nèi)外部時鐘校準

■?定時計數(shù)器

― 2 個16bit高級定時計數(shù)器，支持輸入捕獲，互補輸出 ，正交編碼輸入，*高控制精度9.25nS；每個定時器有4個獨立的通道，其中3個通道支持6路互補PWM輸出

― 5個 16bit通用定時計數(shù)器， 每個定時器有4個獨立通道，支持輸入捕獲/輸出比較/PWM輸出

― 2個16bit基礎(chǔ)定時計數(shù)器

― 1個16bit 低功耗定時計數(shù)器，支持雙脈沖計數(shù)功能，可在STOP2狀態(tài)下工作

― 1x 24bit SysTick

― 1x 7bit 窗口看門狗(WWDG)

― 1x 12bit獨立看門狗( IWDG)

■?編程方式

― 支持SWD/JTAG在線調(diào)試接口

― 支持UART、USB Bootloader

■?安全特性

― 內(nèi)置密碼算法硬件加速引擎

― 支持AES、DES、TDES、SHA1/224/256，SM1、SM3、SM4、SM7算法

― Flash存儲加密，多用戶分區(qū)管理（MMU）

― TRNG真隨機數(shù)發(fā)生器

― CRC16/32運算

― 支持寫保護（WRP），多種讀保護（RDP）等級（L0/L1/L2）

― 支持安全啟動，程序加密下載，安全更新

― 支持外部時鐘失效監(jiān)測，防拆監(jiān)測

■?128位UCID

■?工作條件

― 工作電壓范圍：1.8V~3.6V

― 工作溫度范圍：-40℃～105℃

― ESD：±4KV（HBM模型）, ±1KV（CDM模型）