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2英寸氮化鎵晶體（硅摻）規(guī)格書

材質(zhì)：氮化鎵晶體
直徑：50.8 ± 0.3 mm
厚度：400-500 um
表面取向： (0001) Ga face
摻雜類型：N型 硅Si摻雜
電阻率：≤0.02 ohm-cm
拋光：雙面拋光
粗糙度Ra包裝：單片盒包裝

氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。