| 賽福充磁機(jī)高壓脈沖直流儲(chǔ)能自愈電容1000VDC3400UF |
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價(jià)格：1960.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：安徽銅陵 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：安徽銅陵 | |
| 上架時(shí)間：2024-04-27 10:32:34 | 瀏覽量：24 | |
安徽賽福電子有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)加工 | 公司類(lèi)型：私營(yíng)有限責(zé)任公司 | |
| 所屬行業(yè)：電容器 | 主要客戶(hù)：國(guó)內(nèi)，國(guó)外 | |
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| 聯(lián)系人:馮小姐 (小姐) | 手機(jī):13385623978 |
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| 郵箱:yanie@anhuisafe.com | 地址:安徽省銅陵市獅子山棲鳳路1771號(hào) |
.jpg) 賽福1000VDC?3400uf充磁機(jī)脈沖直流濾波自愈電容能夠在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)充電，而在較短時(shí)間內(nèi)放電，從而形成一個(gè)很大的脈沖功率。 ???脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組，通過(guò)主電抗器短時(shí)振蕩放電獲得的，而脈沖電容器組是在試驗(yàn)前由功率不大的充電裝置，用較長(zhǎng)的時(shí)間充電，振蕩放電為數(shù)十毫秒，從而大大增加了試驗(yàn)功率與電源功率之比，改變了經(jīng)濟(jì)效率。
·功耗低，適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應(yīng)用； ·具有較好的容量和體積性能比 ·隨溫度變化小，使用時(shí)間加長(zhǎng)； ·反峰電壓可達(dá)較高； ·高儲(chǔ)能,耐高脈沖電流能力； ·自恢復(fù)特性好； ·低電感,低ESR； ·外殼材料為不銹鋼或冷軋板、安裝方便 。 主要產(chǎn)品參數(shù)： ·容量范圍：C=100μF～6000μF； ·容量偏差：一般±5，根據(jù)要求可以定制； ·額定電壓：Un=1KV～5KV； ·等效串聯(lián)電阻：ESR≤5mΩ ·反峰電壓可達(dá)80以上； ·充放電次數(shù)：可達(dá)2，000，000次； ·損耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）； ·使用環(huán)境溫度寬：-40℃～ 75℃； ·使用標(biāo)準(zhǔn)：JB/T8168 或客戶(hù)要求。
該電容器應(yīng)用于充磁機(jī)、退磁機(jī)，激光電源，儲(chǔ)能焊接機(jī)等；直流高壓設(shè)備、整流濾波裝置振蕩回路、 連續(xù)脈沖裝置，沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及其他非連續(xù)脈沖裝置。 ? ?主要產(chǎn)品規(guī)格：? 產(chǎn)品型號(hào) 電壓（KV） 容量（μF） MFO(D)1K001007 1.0 1000 MFO(D)1K002007 1.0 2000 MFO(D)1K005007 1.0 5000 MFO(D)1K205006 1.2 500 MFO(D)1K201007 1.2 1000 MFO(D)1K202007 1.2 2000 MFO(D)1K505006 1.5 500 MFO(D)1K501007 1.5 1000 MFO(D)1K501507 1.5 1500 MFO(D)1K602006 1.6 200 MFO(D)1K605006 1.6 500 MFO(D)1K601007 1.6 1000 MFO(D)1K601507 1.6 1500 MFO(D)2K002006 2.0 200 MFO(D)2K005006 2.0 500 MFO(D)2K001007 2.0 1000 MFO(D)2K205006 2.2 500 MFO(D)2K201007 2.2 1000 MFO(D)2K502006 2.5 200 MFO(D)2K505006 2.5 500 MFO(D)3K002006 3.0 200 MFO(D)3K005006 3.0 500 MFO(D)4K002006 4.0 200 MFO(D)4K005006 4.0 500 MFO(D)4K502006 4.5 200 MFO(D)4K505006 4.5 500 MFO(D)5K002006 5.0 200 MFO(D)5K005006 5.0 500 以上數(shù)據(jù)僅供參考，根據(jù)用戶(hù)要求，我們可以設(shè)計(jì)、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器。
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?公司擁有大型高真空鍍膜機(jī)14臺(tái)、智能化分切機(jī)40臺(tái)、自動(dòng)化卷繞機(jī)11臺(tái)、真空油處理系統(tǒng)、真空高壓測(cè)試臺(tái)、交流測(cè)試臺(tái)等設(shè)備，建立了電容器用金屬化薄膜和薄膜電容器生產(chǎn)線。