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可供常規(guī)碳化硅（SiC）外延片與定制結(jié)構(gòu)外延片，包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延，用于碳化硅器件的開(kāi)發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質(zhì)外延片是通過(guò)在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來(lái)制備的，進(jìn)一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規(guī)格，該外延片可用于制備MOS電容器：

1. 碳化硅外延片參數(shù)表

2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片？
外延是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)流程中的一個(gè)重要過(guò)程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造，且?guī)缀跏峭ㄟ^(guò)外延生長(zhǎng)獲得的，碳化硅外延片的質(zhì)量將對(duì)器件的性能產(chǎn)生很大影響。此外，外延層處于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的中間位置，這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響�？傊蓟柰庋庸に囋谄骷闹苽渲衅鹬匾饔�。
隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓水平的提高，碳化硅外延片發(fā)展方向繼續(xù)朝著低缺陷、厚外延生產(chǎn)。近年來(lái)，薄碳化硅外延材料（＜20μm）的質(zhì)量不斷提高。外延材料中的微管缺陷已經(jīng)被消除。然而，SiC外延缺陷，如跌落、三角形、胡蘿卜狀、螺旋位錯(cuò)、基面位錯(cuò)、深能級(jí)缺陷等，成為影響器件性能的主要因素。隨著碳化硅外延片工藝流程的發(fā)展，外延層的厚度從過(guò)去的幾微米和幾十微米發(fā)展到現(xiàn)在的幾十微米和幾百微米。其中，20um及以下的外延技術(shù)成熟度較高。表面缺陷密度降低到小于1/cm2，位錯(cuò)密度從105/cm2降低到103/cm2，基面位錯(cuò)轉(zhuǎn)化率接近100，基本滿足外延材料大規(guī)模生產(chǎn)SiC器件的要求。

3. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應(yīng)用于射頻（如：5G通信、雷達(dá)）、新能源汽車、固態(tài)光源等領(lǐng)域。

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