| HITACHI電源模塊日立動態(tài)特性檢測設(shè)備品質(zhì)有保 |
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價格：1120.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：江蘇淮安市 |
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由于匯率各方面因素影響，以上價格不作為成交價格，詳情請來電垂詢各地區(qū)商務(wù)代表，給您帶來不便，深表歉意！ 株式會社 日立製作所 Hitachi, Ltd. HITACHI電源模塊 日立動態(tài)特性檢測設(shè)備 品質(zhì)有保 BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備 本設(shè)備向晶體管的基極?發(fā)射極通入微電流，測量此時基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源，提升結(jié)點溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極?發(fā)射極通入微電流，測量基極與發(fā)射極之間的電壓，計算出差值。 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）瞬態(tài)熱電阻測量儀 與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測量儀器。 P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測量儀 與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與源極之間電壓差值的測量儀器。 能夠測量二極管的ΔVF
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