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硅片的化學(xué)清洗原理




硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：



A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污：可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除。



B. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。



C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：



a. 一類是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。



b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。



硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。



a. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。



b. 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子（如H ）來(lái)替代吸附在硅片表面的金 屬離子，使之溶解于清洗液中。



c. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。