| 外延級(jí)N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片 |
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價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產(chǎn)地：福建廈門(mén) |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：福建廈門(mén) | |
| 上架時(shí)間：2024-01-13 05:51:32 | 瀏覽量：54 | |
廈門(mén)中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是一種共價(jià)鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結(jié)晶形式。SiC晶體存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。其中，只有4H-SiC和6H-SiC的六方結(jié)構(gòu)和3C-SiC的立方結(jié)構(gòu)可以用于商業(yè)用途，且4H-SiC最適用于功率元器件。碳化硅單晶處于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的前沿，是高端芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。SiC襯底尺寸越大，每個(gè)單位襯底上可以制造的芯片越多，邊緣浪費(fèi)越小，因此單位芯片成本越低。 .jpg) .jpg) 1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格 .jpg) .jpg) 2. 碳化硅半導(dǎo)體材料特性 .jpg) 3. 碳化硅襯底片的用途 .jpg) .jpg) .jpg)
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