| 4英寸氮化鎵晶體，硅摻雜GaN單晶拋光晶片，寬禁帶半導(dǎo)體材料 |
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價(jià)格：2.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：江蘇無錫 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：江蘇無錫 | |
| 上架時(shí)間：2023-12-12 09:26:43 | 瀏覽量：75 | |
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| 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營有限責(zé)任公司 | |
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.jpg) .jpg) .jpg) 4英寸氮化鎵晶體（硅摻）規(guī)格書 .jpg) 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。 .jpg) .jpg) .jpg) .jpg)
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