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產(chǎn)品規(guī)格
材質(zhì)： >99.99高純度氧化鋁晶體（泡生法）

晶向：
* C軸向A軸偏轉(zhuǎn) 0.5-6度
* C軸向M軸偏轉(zhuǎn) 0.5-6度

直徑：
* 50.8mm（2英寸），100mm（4英寸）

厚度：
* 430微米（2英寸標(biāo)準(zhǔn)厚度）
* 650微米（4英寸標(biāo)準(zhǔn)厚度）

拋光： 單面拋光/雙面拋光 （可選）
CMP拋光面粗糙度Ra總厚度公差TTV翹曲度BOW：參考規(guī)格書
彎曲度Warp：參考規(guī)格書
包裝：25片/盒多片盒雙層PE袋抽真空。
*特定規(guī)格產(chǎn)品請向客服索要產(chǎn)品規(guī)格書。

在斜切藍(lán)寶石襯底上生長 晶圓級二硫化鉬(MoS2)單晶薄膜

由于常規(guī)的二維材料化學(xué)氣相沉積法生長工藝所使用的外延襯底與MoS2存在對稱性不匹配的問題，導(dǎo)致生長的成核期出現(xiàn)了大量的180°反向MoS2晶疇，反向晶疇在長大過程中由于晶向不一致而無法合并成大面積MoS2單晶，制得的MoS2多晶薄膜具有較高的晶界密度，顯著降低了材料/器件的性能。

南京大學(xué)實驗團(tuán)隊成功實現(xiàn)了晶圓級(2英寸) 二硫化鉬(MoS2)單層單晶薄膜的生長制備。研究成果發(fā)表在Nature Nanotechnology 上。研究表明C/A斜切藍(lán)寶石在不影響原有外延關(guān)系的同時，形成的臺階取向打破了反向MoS2晶疇在成核過程中的能量簡并態(tài)，進(jìn)而引導(dǎo)MoS2晶疇沿臺階邊緣成核機(jī)制確定的優(yōu)勢取向生長，可以生長出99.6％單一取向的MoS2晶疇，這些取向一致的晶疇可以合并成大面積MoS2單晶薄膜。該成核機(jī)制對指導(dǎo)二維TMDs大面積單晶薄膜的生長具有很好的普適性。