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光刻膠清洗劑 抗蝕劑剝離液 晶圓清洗劑 芯片清洗劑

產(chǎn)品概述：

光刻膠清洗劑（抗蝕劑剝離液）PL311是針對半導(dǎo)體晶圓芯片制造過程而設(shè)計，光刻膠層需要在制造過程結(jié)束時，從襯底表面去除。本品采用極性非質(zhì)子有機溶劑、還原劑、阻蝕劑等成分，科學(xué)復(fù)配而成，水溶性好，表面張力低，清洗能力強，可以迅速去除光刻膠殘留、其它刻蝕殘留物、粉塵顆粒物、油污、手印、氧化硅拋光液殘留等臟污，不引入任何污染物，潔凈度高，對各種襯底材料、鍍膜層、金屬配線無腐蝕，無毒無刺激性氣味，環(huán)保安全，對人體與環(huán)境友好。

適用范圍：

光刻膠清洗劑PL311用于去除正型光刻膠，以及用于負(fù)片的返工處理。適用于半導(dǎo)體晶圓表面、LCD/OLED加工的光刻膠和CMOS圖像傳感器等返修芯片的紅膠，以及電子設(shè)備、電子儀器的清洗。

產(chǎn)品特點：

1.去膠速度快，去膠能力強，可迅速去除晶圓表面和襯底金屬表面的光刻膠等殘留物；

2.去除金屬離子污染物、粉塵顆粒物，無殘留；

3.材料相容性好，對襯底材料及金屬配線無腐蝕性；

4.無毒無刺激，不燃不爆，不含ODS（臭氧層破壞物質(zhì)），符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品參數(shù)：

外觀（原液) ：無色透明液體

比重????：1.06±0.01

PH值????：10—11

氣味????：無

使用方法：

根據(jù)不同要求原液或稀釋使用，稀釋比例不超過20倍；使用前請咨詢我司技術(shù)人員！

溫度：50-60℃????

時間：5-10分鐘

注意：清洗設(shè)備建議選擇高頻超聲波清洗，避免因頻率過高震傷產(chǎn)品。

注意事項：

如不慎進(jìn)入眼中應(yīng)立即用清水沖洗，人工清洗時，請配戴防護(hù)手套；??

儲存于陰涼干燥處，避免陽光直射

包裝規(guī)格：

1加侖/桶