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碳化硅清洗劑 碳化硅拋光片清洗劑 碳化硅晶片清洗劑 碳化硅襯底清洗劑 半導(dǎo)體硅片清洗劑

產(chǎn)品概述：

碳化硅拋光片清洗劑SC181是我司專(zhuān)為碳化硅晶片超精密加工研發(fā)的水基清洗劑，可以徹底清除碳化硅晶片表面的微塵、細(xì)微顆粒物、有機(jī)物、金屬離子、金屬氧化物、殘留拋光液等污染物。

利用化學(xué)剝離的原理有效將鍵入在硅片表面的各種污染物去除，清洗劑中的活性物質(zhì)可以吸附在硅片表面，使其長(zhǎng)期處于易清洗的物理吸附狀態(tài)（>120h），而不像難清洗的化學(xué)吸附狀態(tài)轉(zhuǎn)化，并在表面形成保護(hù)層，防止顆粒的二次吸附，實(shí)現(xiàn)了把有害吸附轉(zhuǎn)化為無(wú)害吸附，有效提高外延或擴(kuò)散工序的成品率。主要應(yīng)用于各種硅片切割與拋光后的清洗。

應(yīng)用領(lǐng)域：

碳化硅清洗劑SC181用于半導(dǎo)體芯片、硅片、元器件、薄膜技術(shù)中的玻璃和金屬表面浸漬、噴淋、超聲波的清洗。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.能快速清洗產(chǎn)品表面的硅粉、細(xì)小顆粒物，清除金屬離子、氧化物、拋光液殘留；

2.清洗后產(chǎn)品良率可達(dá)99.8；

3.對(duì)工件表面無(wú)腐蝕，無(wú)殘留，不變色，無(wú)斑白點(diǎn)，潔凈度高；

4.不影響導(dǎo)電性能，不損傷電路及芯片鍍膜層；

5.滲透、去污力強(qiáng)，適合于形狀復(fù)雜電子零部件及深孔部件；

6.污垢殘留物經(jīng)清洗、剝離后沉底，增強(qiáng)了循環(huán)使用的壽命；

7.無(wú)毒，無(wú)閃點(diǎn)，不燃不爆，使用安全；

8.水基環(huán)保，可做到零排放、可生物降解，符合 ROHS 指令。

物性參數(shù)：

操作工藝：

清洗殘留顆粒物：碳化硅清洗劑SC181原液1:5-10兌水稀釋使用，需加溫40-60℃，超聲波清洗5-10分鐘；

清洗殘留研磨液：超聲波清洗設(shè)備超聲振動(dòng)，根據(jù)臟污情況原液使用，或兌水稀釋5-10倍使用；

適用于多晶硅、單晶硅、硅片及相關(guān)的硅片及延伸產(chǎn)品浸漬、噴淋清洗處理。超聲波效果更佳。

產(chǎn)品包裝、貯存和運(yùn)輸：

塑料桶包裝： 25KG/桶，非危險(xiǎn)品易于儲(chǔ)存和運(yùn)輸；

貯存期兩年，不能露天存放，防止日曬雨淋；

未使用完的清洗劑須將桶蓋擰緊，避免水分及雜質(zhì)混入。

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